台积电研发2nm 制程,升级GAA 晶管,大幅提升EUV

台积电作为目前全球最大最先进的晶圆代工厂,不少晶片均由它来代工生产。台积电当前在7nm 和5nm 节点上领先Samsung 等对手,按照规划,未来台积电将会加快脚步,在明年实现3nm 工艺量产,进军2nm 工艺。

按照台积电的规划,在未来三年将会投资1000亿美元,其中耗资做多的莫过于研发工艺制程。对于研发2nm 工艺,台积电在去年称已经取得了重大的进展,进度比预期要好,只是当时停留在进行技术探索,了解到了技术的可行性。

目前台积电的2nm 工艺正式进入了研发阶段,开始将重点转向了测试载具设计、光罩制作及矽试产等方向。台积电透露,在2nm 工艺上,将会放弃当前的FinFET 晶体管结构,转向GAA 环绕栅极结构。对比Samsung 在3nm 节点弃用GAA 晶体管的做法,不知届时Samsung 和台积电的GAA 晶体管结构孰优孰劣。

为了突破2nm工艺节点,EUV 光刻是最为主要的技术难点。当下EUV 工艺存在不少问题,会严重影响量产的稳定性和良品率,需要进一步研究并改善。

目前台积电的2nm 工厂正在起步,有爆料称台积电有望在2023年试产2nm 工艺,然后2024年实现量产。

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